日前，由第三代半导体产业知名媒体与产业研究机构“行家说三代半”主办的2023行家极光奖颁奖典礼盛大召开。三安荣获“第三代半导体年度中国领军企业”、“中国SiC器件IDM十强企业”称号，同时，三安旗下碳化硅MOSFET和碳化硅衬底产品双双入选“第三代半导体年度优秀产品奖”。

本届行家极光奖设置了“年度企业”、“十强榜单”、“年度优秀产品奖”三大奖项，旨在表彰在第三代半导体领域技术创新、推广应用、产业化等方面作出突出贡献的企业和优秀产品。

三安在第三代半导体领域拥有近20年的研发历史，具备坚实的技术基础、丰富的制造经验和一流的专业人才。公司的6吋碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货；8吋碳化硅衬底已实现小批量试制，送样验证获得国际客户认可；公司已经量产了适用于主驱的1200V/13mΩ/16mΩ SiC MOSFET，适用于OBC的1200V/75mΩ/32mΩ SiC MOSFET，公司的全产业链垂直整合模式，决定了在车规级产品的低失效率上具有先天优势，而且在缺陷控制方面的研究，能够保证缺陷ink的有效性。同时，在车规产品性能设计上，为了保证车规使用的安全性，还专门对BV、Vth和Tsc等核心性能进行了优化提升。此外，公司还完成了高压SiC平台的布局，其中1700V/1000mΩ SiC MOSFET已量产，并在各主流光伏逆变器厂商进入验证阶段，产品综合性能优异。截止目前，三安已累计服务国内外客户超800家，碳化硅芯片/器件出货量超2亿颗。通过采用三安的碳化硅产品，客户能够开发出高性能、高效率的解决方案。 

三安在碳化硅功率半导体领域的市场份额稳步增长，公司正积极投资未来的发展。2023年6月，三安与意法宣布共建8吋碳化硅器件合资制造工厂，同时三安将独资建立8吋碳化硅衬底工厂作为配套。这一战略投资将显著提升三安的碳化硅功率半导体产能，支持公司的长期增长计划，加速碳化硅技术在各终端市场的应用，为能源效率的提升开启新篇章。

三安的碳化硅技术在众多应用领域发挥关键作用，包括支持汽车动力系统的电气化和电动化，以及促进可再生能源的广泛应用。碳化硅技术以其卓越的性能和高效率，正在开辟新的应用前景，并为我们的生活带来深远的影响。作为碳化硅技术的积极推广者，三安对未来充满期待，并致力于推动这一领域的创新与进步。

同期举行的SiC技术创新大会上，三安技术总监叶念慈博士带来《碳化硅垂直整合功率器件制造平台》的专题报告；在《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》成果发布现场，三安作为参编单位派代表上台参加了授证仪式。